據(jù)悉，臺積電N2系列工藝技術相較于其前代的主要增強之處在于納米片全柵極（GAA）晶體管和超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容。納米片GAA晶體管的優(yōu)勢是可以通過調整通道寬度來定制高性能或低泄漏操作，SHPMIM電容則可以增強電源穩(wěn)定性并促進片上解耦。據(jù)臺積電稱，SHPMIM電容的容量密度是其前代的兩倍以上，同時還將Rs方塊電阻（歐姆/方塊）降低了50%，而Rc通孔電阻也降低了50%。 與第一代N2工藝相比，N2P會有額外的改進：功耗降低5%-10%（在相同頻率和晶體管數(shù)量下）或性能提高5%-10%（在相同功耗和晶體管數(shù)量下）。而N2X會擁有比N2和N2P更高的FMAX電壓，能夠為數(shù)據(jù)中心CPU、GPU和專用ASIC提供更好的性能。在IP層面，N2P和N2X兼容，因此打算使用N2X的公司無需重新開發(fā)為N2P設計的任何東西。 去年，臺積電在歐洲OIP論壇上表示，其N2工藝技術的生態(tài)系統(tǒng)正在發(fā)展，EDA工具和一些第三方IP已經(jīng)通過了該合同芯片制造商的認證。在今年的OIP活動上，臺積電宣布，主要供應商的所有EDA程序不僅通過了初代N2的認證，而且也通過了其改進版本N2P的認證，這是一個重要的里程碑。 雖然臺積電的密切合作伙伴（擁有早期PDK和預生產EDA工具的合作伙伴）已經(jīng)設計了使用臺積電N2系列工藝技術（2nm級）制造的處理器（如蘋果），但資源有限的小型芯片設計公司不得不等待臺積電及其合作伙伴開發(fā)兼容的EDA程序和IP模塊?，F(xiàn)在這些用于N2P的工具已經(jīng)以0.9v PDK形式提供，這表明N2P正按計劃進行。 以上為本篇文章的全部內容，點擊進入“小皮游戲網(wǎng)”，時刻了解最新游戲資訊。